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SI6404DQ-T1-E3
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SI6404DQ-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-TSSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.08W (Ta) |
Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta) |
SI6404DQ-T1-E3 Documentos
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SI640'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI6404DQ-T1 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 9045 |
SI6404DQ-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 530 |
SI6404DQ-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2557 |
SI6404DQ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2741 |
SI6405DQ-T1-E3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 10000 |
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