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SI5484DU-T1-E3
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SI5484DU-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SI548'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI5480DU | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 15288 |
SI5480DU-T1 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2059 |
SI5480DU-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2662 |
SI5480DU-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2683 |
SI5480DU-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2682 |
SI5480DU-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2590 |
SI5480DU-TI-GE3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 1058 |
SI5481DU-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2723 |
SI5481DU-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2766 |
SI5481DU-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2683 |
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