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SI5475DC-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
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Otros incluyen   "SI547"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI547' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI5471DC Vishay CIs Calientes Especializados 2879
SI5471DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2655
SI5471DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2739
SI5471DC-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI5473DC-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 135000
SI5473DC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2890
SI5473DC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1737
SI5473DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3301
SI5473DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3281
SI5475BDC VISHAY CIs Calientes Especializados 2685

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