SI5433BDC-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI5432DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3232
SI5432DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 51869
SI5432DC-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3274
SI5432DC-T1-GE3-S VISHAY CIs Calientes Especializados 1068537
SI5433BDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 335191
SI5433BDC-T1-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI5433BDC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2732
SI5433BDC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6500
SI5433DC-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 5400
Si5433DC-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 12888

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