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SI5402DC-T1-GE3
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SI5402DC-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'SI540'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI5401DC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2676 |
SI5401DC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2590 |
SI5401DC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6394 |
SI5401DC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6233 |
SI5402BDC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3000 |
SI5402BDC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3000 |
SI5402BDC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2624 |
SI5402BDC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2763 |
SI5402DC | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2386 |
SI5402DC-T1 | SILICON | CIs Calientes Especializados | 137932 |
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