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SI4866DY-T1-GE3
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SI4866DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
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Otros incluyen "SI486" partes
Las siguientes partes incluyen 'SI486'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4860DY | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 862 |
SI4860DY-T1 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 5364 |
SI4860DY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 65823 |
SI4860DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 65823 |
SI4860DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SI4860DY-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 7996 |
SI4860DY-T1-E3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 18864 |
SI4860DY-T1-E3. | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 5000 |
SI4860DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3094 |
SI4860DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 80343 |
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