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SI4858DY-T1-GE3
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SI4858DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.25 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'SI485'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4850 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2701 |
SI4850BDY | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 772 |
SI4850BDY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2773 |
SI4850DY | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 1295 |
SI4850DY-T1-E3 | V | CIs Calientes Especializados | 29770 |
SI4850DY-T1-Y3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 3000 |
SI4850EY | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 5419 |
SI4850EY-E3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 5255 |
SI4850EY-T1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2528 |
SI4850EY-T1 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2657 |
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