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SI4842BDY-T1-E3
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SI4842BDY-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3650pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4840-A10-GU | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 2747 |
SI4840-A10-GU | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4840-A10-GUR | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 2618 |
SI4840-A10-GUR | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4840-DEMO | Energy Micro (Silicon Labs) | Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas | 2570 |
SI4840-DEMO | Silicon Labs | Placas RF | |
SI4840BDY | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2266 |
SI4840BDY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5492 |
SI4840BDY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 54430 |
SI4840BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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