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SI4823DY-T1-GE3
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SI4823DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | LITTLE FOOT® |
Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±12V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SI482'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4820-A10-CU | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 2719 |
SI4820-A10-CU | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4820-A10-CUR | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 2732 |
SI4820-A10-CUR | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4820DY | VIS | CIs Calientes Especializados | 903 |
SI4820DY-T1 | SIL | CIs Calientes Especializados | 9964 |
Si4820DY-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 3500 |
SI4820DY-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 18085 |
SI4822 | SILICONIX | CIs Calientes Especializados | 1326 |
SI4822-A10-CU | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 2642 |
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