SI4812BDY-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 9.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Ta)
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SI4810 SI CIs Calientes Especializados 2550
SI4810ADY Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 448
SI4810BD Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 23
SI4810BDY VISHAY CIs Calientes Especializados 573
SI4810BDY-T-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2722
SI4810BDY-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 17659
SI4810BDY-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 16885
SI4810BDY-T1-E3. VIS CIs Calientes Especializados 4709
SI4810BDY-TI-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 1483
SI4810DY SILICON CIs Calientes Especializados 3158

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