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SI4688DY-T1-E3
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SI4688DY-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 12A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1580pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4682-A10-GDR | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 2514 |
SI4682-A10-GDR | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4682-A10-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 2609 |
SI4682-A10-GM | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4682-A10-GMR | Energy Micro (Silicon Labs) | Receptores RF | 2635 |
SI4682-A10-GMR | Silicon Labs | Receptores RF | |
SI4682DY | VIS | CIs Calientes Especializados | 953 |
SI4682DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34321 |
SI4682DY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34321 |
SI4682DY-T1-E3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 19201 |
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