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SI4668DY-T1-E3
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SI4668DY-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1654pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.2A (Tc) |
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Otros incluyen "SI466" partes
Las siguientes partes incluyen 'SI466'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4660DY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 21239 |
SI4660DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 21239 |
SI4660DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8045 |
SI4660DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8045 |
SI4662DY-T1-E3 | vishay | CIs Calientes Especializados | 5500 |
SI4662DY-T1-GE3 | V | CIs Calientes Especializados | 16112 |
SI4662DY-T1-GE3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 16268 |
Si4666DY-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 39502 |
SI4666DY-T1-E3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 19048 |
SI4666DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 21779 |
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