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SI4590DY-T1-GE3
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SI4590DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 2.4W, 3.4W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 50V |
FET Type | N and P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SI459'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4590DY-T1 | SILICONIX | CIs Calientes Especializados | 5323 |
SI4590DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2812 |
SI4590DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI4590DY-T1-GE3 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 80489 |
SI4599D | VS | CIs Calientes Especializados | 2768 |
SI4599DY | SI | CIs Calientes Especializados | 50266 |
Si4599DY-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 18114 |
SI4599DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2302 |
SI4599DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 19864 |
SI4599DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs |
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