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SI4511DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A, 4.6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "SI451"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI4511 SI CIs Calientes Especializados 1424
SI4511DY VISHAY CIs Calientes Especializados 57940
SI4511DY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 12315
SI4511DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 40596
SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI4511DY-T1-E3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10757
SI4511DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3047
SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs

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SI4511DY-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SI4511DY-T1-GE3 precio de referencia. SI4511DY-T1-GE3 parámetros, SI4511DY-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI4511DY-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI4511DY-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI4511DY-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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