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SI4466DY-T1-GE3
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SI4466DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'SI446'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4460-B0A-FM | SILICON | CIs Calientes Especializados | 2694 |
SI4460-B0B-FM | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs Transceptores RF | 2625 |
SI4460-B0B-FM | Silicon Labs | ICs Transceptores RF | |
SI4460-B1B-FM | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs Transceptores RF | 2671 |
SI4460-B1B-FM | Silicon Labs | ICs Transceptores RF | |
SI4460-B1B-FMR | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs Transceptores RF | 5411 |
SI4460-B1B-FMR | Silicon Labs | ICs Transceptores RF | |
SI4460-B1B-FMR IC | SILICON | CIs Calientes Especializados | 739 |
SI4460-C2A-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs Transceptores RF | 2502 |
SI4460-C2A-GM | Silicon Labs | ICs Transceptores RF |
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