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SI4210DY-T1-GE3
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SI4210DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 2.7W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.5 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 445pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Las siguientes partes incluyen 'SI421'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4210 | SI | CIs Calientes Especializados | 2636 |
SI4210-A-IF-EVB | Energy Micro (Silicon Labs) | Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas | 2657 |
SI4210-A-IF-EVB | Silicon Labs | Placas RF | |
SI4210-B-GM | SILICON | CIs Calientes Especializados | 2548 |
SI4210-B072-GMR | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2632 |
SI4210-C-GMR | SILCOM | CIs Calientes Especializados | 2824 |
SI4210-C-GMR IC | Energy Micro (Silicon Labs) | CIs Calientes Especializados | 485 |
SI4210-D-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | Interfaz - Controladores, Receptores, Transceptores | 2572 |
SI4210-D-GMR | SILICON | CIs Calientes Especializados | 28393 |
SI4210-E-KT-EVB | Energy Micro (Silicon Labs) | Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas | 2793 |
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