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SI4200DY-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 2.8W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 415pF @ 13V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
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Otros incluyen   "SI420"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI420' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI4200-BM Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 431
SI4200-BM Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI4200-BMR SILICON CIs Calientes Especializados 13391
SI4200-BMR IC SI CIs Calientes Especializados 538
SI4200-EVB Energy Micro (Silicon Labs) Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas 2746
SI4200-EVB Silicon Labs Placas RF
SI4200-GM Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 3336
SI4200-GM Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI4200-GMR SILICONIX CIs Calientes Especializados 7500
SI4200BM N/A CIs Calientes Especializados 2393

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SI4200DY-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SI4200DY-T1-GE3 precio de referencia. SI4200DY-T1-GE3 parámetros, SI4200DY-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI4200DY-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI4200DY-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI4200DY-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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