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SI4104DY-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 446pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
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Otros incluyen   "SI410"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI410' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI410 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 13
SI4100BDDY-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1860
SI4100DY VISHAY CIs Calientes Especializados 8196
SI4100DY-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 2797
SI4100DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 105915
SI4100DY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5390
SI4100DY-T1-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI4100DY-T1-E3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10650
SI4100DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12974
SI4100DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12057

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