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SI3588DV-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 830mW, 83mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A, 570mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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SI3588DV-T1-GE3 Documentos

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Otros incluyen   "SI358"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI3585CDV VISHAY CIs Calientes Especializados 14432
SI3585CDV-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2711
SI3585CDV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 64611
SI3585CDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 18365
SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI3585CDV-T1-GE3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1586
Si3585CDV-T1-GE3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19185
SI3585DV VISHAY CIs Calientes Especializados 3296
SI3585DV-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 1127
SI3585DV-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1211

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