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SI3447BDV-T1-GE3
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SI3447BDV-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 6A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
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Otros incluyen "SI344" partes
Las siguientes partes incluyen 'SI344'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI3440ADV-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6454 |
SI3440ADV-T1-GE3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 5265 |
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SI3440DV | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 1176 |
SI3440DV-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 19271 |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 120043 |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SI3440DV-T1-E3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 1138 |
SI3440DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6661 |
SI3440DV-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 57151 |
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