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SI2337DS-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 1.2A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 40V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
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Otros incluyen   "SI233"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI233' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI2331/SK2331A Original CIs Calientes Especializados 30500
SI2331DS VISHAY CIs Calientes Especializados 3427
SI2331DS-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 51427
SI2331DS-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1590
SI2331DS-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 30374
SI2331DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3224
SI2331DS-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 42835
SI2333 SI CIs Calientes Especializados 61191
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