SI2304BDS-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
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SI2300 VISHAY CIs Calientes Especializados 5424
SI2300 00A8C Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 84357
SI2300 IC TI CIs Calientes Especializados 1798
SI2300 MOS TI CIs Calientes Especializados 2293
Si2300(C009T) Original CIs Calientes Especializados 6300
SI2300-00A8C CS CIs Calientes Especializados 200500
SI2300/2302 TI CIs Calientes Especializados 986329
SI2300/AE9T CJ CIs Calientes Especializados 6267
SI2300/AO2300 YXYBDT CIs Calientes Especializados 55970
SI2300/AP2300/2300 INOVA CIs Calientes Especializados 135346

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