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SI1972DH-T1-GE3
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SI1972DH-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.25W |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SC-70-6 (SOT-363) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 1.3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SI197'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI1970DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2790 |
SI1970DH-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2561 |
SI1970DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI1970DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 3701 |
SI1970DH-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 3612 |
SI1970DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI1972DH | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 28 |
SI1972DH-T1 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 3256 |
SI1972DH-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 120613 |
SI1972DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 1297 |
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