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SI1489EDH-T1-GE3
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SI1489EDH-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±5V |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI1480DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2324 |
SI1480DH-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3035 |
SI1488DH-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2813 |
SI1488DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 967 |
SI1488DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12000 |
SI1488DH-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12000 |
SI1489EDH-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 88944 |
SI1489EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SI1489EDH-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 7183 |
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Remaches
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