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SI1433DH-T1-E3
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SI1433DH-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 100µA |
Supplier Device Package | SC-70-6 (SOT-363) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.2A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 950mW (Ta) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
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Otros incluyen "SI143" partes
Las siguientes partes incluyen 'SI143'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI1431DH-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2538 |
SI1431DH-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2712 |
SI1431DH-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
SI1431DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2554 |
SI1433DH-T1 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 48438 |
SI1433DH-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3016 |
SI1433DH-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
SI1433DH-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
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