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SI1402DH-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77 mOhm @ 3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 950mW (Ta)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
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Otros incluyen   "SI140"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI140' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI1400DL-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 12650
SI1400DL-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20220
SI1400DL-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20220
SI1400DL-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1440
SI1400DL-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 45696
SI1400DL-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 45696
SI1400DL-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI1401EDH-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 31291
SI1401EDH-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37731
SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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