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SI1330EDL-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 280mW (Ta)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SC-70-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 250mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240mA (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI1330EDL-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3331
SI1330EDL-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 61613
SI1330EDL-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 48248
SI1330EDL-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 60828
SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1330EDL-T1-GE3
SI1330EDL-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 9356

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SI1330EDL-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SI1330EDL-T1-GE3 precio de referencia. SI1330EDL-T1-GE3 parámetros, SI1330EDL-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI1330EDL-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI1330EDL-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI1330EDL-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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