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SI1303DL-T1-GE3
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SI1303DL-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Supplier Device Package | SC-70-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 1A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 290mW (Ta) |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 670mA (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'SI130'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI1300BDL-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9659 |
SI1300BDL-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1187 |
SI1300BDL-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3211 |
SI1300BDL-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 57438 |
SI1300BDL-T1-GE3 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 6225 |
Si1300BDL-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 3230 |
SI1300DL | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 30000 |
SI1300DL-T1 | SILICON | CIs Calientes Especializados | 771 |
SI1300DL-T1 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 1100 |
SI1300DL-T1-E3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 6267 |
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Barreras
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