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SI1012X-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Supplier Device Package SC-89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 250mW (Ta)
Package / Case SC-89, SOT-490
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
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Otros incluyen   "SI101"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI101' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI1010 Silicon CIs Calientes Especializados 2747
SI1010 Silicon Labs Microprocesadores
SI1010-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2702
SI1010-A-GM Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1010-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2686
SI1010-A-GMR Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1010-C-GM2 Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 2519
SI1010-C-GM2 Silicon Labs ICs Transceptores RF
SI1010-C-GM2R Energy Micro (Silicon Labs) ICs Transceptores RF 3657
SI1010-C-GM2R Silicon Labs ICs Transceptores RF

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SI1012X-T1-E3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SI1012X-T1-E3 precio de referencia. SI1012X-T1-E3 parámetros, SI1012X-T1-E3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI1012X-T1-E3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI1012X-T1-E3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI1012X-T1-E3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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