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IRLZ34STRR Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 18A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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IRLZ34STRR Documentos

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Otros incluyen   "IRLZ3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRLZ3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRLZ34 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3345
IRLZ34 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 26025
IRLZ34L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3477
IRLZ34L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3471
IRLZ34N IR CIs Calientes Especializados 155425
IRLZ34NL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14101
IRLZ34NLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23170
IRLZ34NLPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 2841
IRLZ34NPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20414
IRLZ34NPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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