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IRFSL31N20DTRL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Otros incluyen   "IRFSL"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFSL' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFSL11N50A Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3362
IRFSL11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11673
IRFSL11N50APBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2564
IRFSL11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2743
IRFSL17N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 495
IRFSL17N20DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2691
IRFSL23N15D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1254
IRFSL23N15DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
IRFSL23N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2745
IRFSL23N20D102P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3483

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