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IRFP460APBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247-3
Power Dissipation (Max) 280W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Otros incluyen   "IRFP4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFP4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFP4004 IR CIs Calientes Especializados 32853
IRFP4004NPBF International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 25276
IRFP4004PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1319
IRFP4004PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFP4110 IR CIs Calientes Especializados 352
IRFP4110 MOSFETIGBTIC IR CIs Calientes Especializados 561
IRFP4110PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1475
IRFP4110PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFP4110PBF-CN IR CIs Calientes Especializados 1502
IRFP4110PBF-MX IR CIs Calientes Especializados 2918

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