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IRFL9110PBF
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IRFL9110PBF Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 660mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IRFL9" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRFL9'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFL9014 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2376 |
IRFL9014 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25254 |
IRFL9014 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 1545 |
IRFL9014 P | IR | CIs Calientes Especializados | 30500 |
IRFL9014P | IR | CIs Calientes Especializados | 30000 |
IRFL9014PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2942 |
IRFL9014PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13602 |
IRFL9014PBF | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRFL9014PBFDKR | PREPACK | CIs Calientes Especializados | 647 |
IRFL9014TR | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2762 |
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