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IRFI9620GPBF Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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IRFI9620GPBF Documentos

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Otros incluyen   "IRFI9"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFI9' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFI9520G Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1546
IRFI9520G Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11399
IRFI9520GPBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2771
IRFI9520GPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2656
IRFI9520N Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2690
IRFI9520N Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
IRFI9520NPBF VB CIs Calientes Especializados 1000
IRFI9530 IR CIs Calientes Especializados 14
IRFI9530G Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9295
IRFI9530G Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9295

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