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IRFI820GPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Otros incluyen   "IRFI8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFI8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFI820BTU FSC CIs Calientes Especializados 2541
IRFI820G Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33171
IRFI820G Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33171
IRFI820GPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20114
IRFI820GPBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFI820GPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 629
IRFI830G Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 567
IRFI830G Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11221
IRFI830GPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11182
IRFI830GPBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11182

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