IRFD024 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFD010 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5321
IRFD010 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5321
IRFD010PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2663
IRFD010PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2574
IRFD012 Original CIs Calientes Especializados 5700
IRFD014 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2840
IRFD014 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 256
IRFD014PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6517
IRFD014PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3025
IRFD020 IRF CIs Calientes Especializados 13410

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