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IRFBA22N50APBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package SUPER-220™ (TO-273AA)
Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
Package / Case Super-220™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 13.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFBA1404 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2544
IRFBA1404P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4838
IRFBA1404PPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2504
IRFBA1404PPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFBA1404PPBF IC IR CIs Calientes Especializados 1288
IRFBA1405P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2455
IRFBA1405PPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13178
IRFBA1405PPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFBA22N50A IR CIs Calientes Especializados 3559
IRFBA22N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2518

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