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IRF9Z14LPBF Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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IRF9Z14LPBF Documentos

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Otros incluyen   "IRF9Z"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF9Z' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF9Z10 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3277
IRF9Z10 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13433
IRF9Z10PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6246
IRF9Z10PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6246
IRF9Z10PBF MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1635
IRF9Z14 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25438
IRF9Z14 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25384
IRF9Z14L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2707
IRF9Z14L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2541
IRF9Z14LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3133

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