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IRF9610 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 900mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF960PBF IR CIs Calientes Especializados 2384
IRF9610 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10319
IRF9610L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2672
IRF9610L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2664
IRF9610PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2762
IRF9610PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2574
IRF9610PBF MOSFETIGBTIC IR CIs Calientes Especializados 1041
IRF9610S Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 553
IRF9610S Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2755
IRF9610S MOS IR CIs Calientes Especializados 7014

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