IRF734L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 450V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF730 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1408
IRF730 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9119
IRF730 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9174
IRF730 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
IRF730 IC IR CIs Calientes Especializados 716
IRF7301 IR CIs Calientes Especializados 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5483
IRF7301PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7301TR IR CIs Calientes Especializados 3787
IRF7301TR IC IR CIs Calientes Especializados 898

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