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IRF644S Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 8.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF640 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2347
IRF640 IC ST CIs Calientes Especializados 967
IRF640 MOS IR CIs Calientes Especializados 839
IRF640,127 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2740
IRF640A SEC CIs Calientes Especializados 515
IRF640B FSC CIs Calientes Especializados 2332
IRF640B IC IR CIs Calientes Especializados 348
IRF640BPBF VB CIs Calientes Especializados 5000
IRF640FP STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1259
IRF640L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2545

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