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IRF610L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 36W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Otros incluyen   "IRF61"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF61' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF610 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2497
IRF610 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 71146
IRF610* IR CIs Calientes Especializados 2526
IRF6100 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 72211
IRF6100 MOS IR CIs Calientes Especializados 12272
IRF6100PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5429
IRF610A FSC CIs Calientes Especializados 799
IRF610B FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2530
IRF610B MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1833
IRF610L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2718

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