VS-GP100TS60SFPBF Especificaciones técnicas

IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package INT-A-PAK
Package / Case INT-A-Pak
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce -
IGBT Type PT, Trench
Current - Collector (Ic) (Max) 337A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.34V @ 15V, 100A
Power - Max 781W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 150µA
Configuration Half Bridge
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GP100TS60SFPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2647
VS-GP100TS60SFPBF Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GP250SA60S Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 10276
VS-GP250SA60S Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 3193
VS-GP250SA60S Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GP300TD60S Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2654
VS-GP300TD60S Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2634
VS-GP300TD60S Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GP400TD60S Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2564
VS-GP400TD60S Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2756

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