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VS-ETL1506-M3
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VS-ETL1506-M3 Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 15A |
Supplier Device Package | TO-220-2 |
Series | FRED Pt® |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 15A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 210ns |
Package / Case | TO-220-2 |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 15µA @ 600V |
Capacitance @ Vr, F | - |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'VS-ET'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
VS-ETF075Y60U | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - IGBTs - Módulos | 15 |
VS-ETF075Y60U | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistores - IGBTs - Módulos | 2753 |
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | Módulos IGBT | |
VS-ETF150Y65N | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - IGBTs - Módulos | 2500 |
VS-ETF150Y65N | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistores - IGBTs - Módulos | 2510 |
VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | Módulos IGBT | |
VS-ETF150Y65U | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistores - IGBTs - Módulos | 2685 |
VS-ETF150Y65U | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - IGBTs - Módulos | 2655 |
VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | Módulos IGBT | |
VS-ETH0806-M3 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 1374 |
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