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VS-1N3881R
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VS-1N3881R Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 6A |
Supplier Device Package | DO-203AA |
Reverse Recovery Time (trr) | 300ns |
Package / Case | DO-203AA, DO-4, Stud |
Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 15µA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 6A |
VS-1N3881R Documentos
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "VS-1N" partes
Las siguientes partes incluyen 'VS-1N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
VS-1N1183 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2568 |
VS-1N1183 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 2595 |
VS-1N1183 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico | |
VS-1N1183A | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2667 |
VS-1N1183A | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 0 |
VS-1N1183A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico | |
VS-1N1183R | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2608 |
VS-1N1183R | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico | |
VS-1N1183RA | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2786 |
VS-1N1183RA | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectificador de Diodo Monofásico |
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