VS-1N1186 Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 110A
Supplier Device Package DO-203AB
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 190°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 35A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10mA @ 200V
Capacitance @ Vr, F -
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VS-1N1183 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2568
VS-1N1183 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2595
VS-1N1183 Vishay Semiconductor Diodes Division Rectificador de Diodo Monofásico
VS-1N1183A Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2667
VS-1N1183A Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 0
VS-1N1183A Vishay Semiconductor Diodes Division Rectificador de Diodo Monofásico
VS-1N1183R Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2608
VS-1N1183R Vishay Semiconductor Diodes Division Rectificador de Diodo Monofásico
VS-1N1183RA Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2786
VS-1N1183RA Vishay Semiconductor Diodes Division Rectificador de Diodo Monofásico

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