SD233R36S50PSC Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3.2V @ 1000A
Supplier Device Package B-8
Reverse Recovery Time (trr) 5µs
Package / Case B-8
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 50mA @ 3600V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 3600V (3.6kV)
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 125°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 235A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SD233N30S50MC IR Módulos IGBT 2736
SD233N30S50MSC IR Módulos IGBT 2675
SD233N30S50MTC IR Módulos IGBT 2725
SD233N30S50PTC IR CIs Calientes Especializados 2898
SD233N36S50MC IR CIs Calientes Especializados 2979
SD233N36S50PSC Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2905
SD233N36S50PTC IR Módulos IGBT 2717
SD233N40S50MC IR Módulos IGBT 2502
SD233N40S50MSC IR Módulos IGBT 2767
SD233N45S50PSC Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2784

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