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S3AHE3/9AT Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 2.5A
Supplier Device Package DO-214AB, (SMC)
Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs
Package / Case DO-214AB, SMC
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
S3AHE3/57T Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2637
S3AHE3/57T Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2688
S3AHE3/9AT Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 0
S3AHE3_A/H Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2709
S3AHE3_A/H Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2527
S3AHE3_A/I Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2558
S3AHE3_A/I Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2791

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