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RS3GHE3/57T
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RS3GHE3/57T Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Supplier Device Package | DO-214AB, (SMC) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Package / Case | DO-214AB, SMC |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitance @ Vr, F | 44pF @ 4V, 1MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
RS3GHE3/57T Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RS3GH" partes
Las siguientes partes incluyen 'RS3GH'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RS3GHE3/57T | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 2777 |
RS3GHE3/9AT | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2576 |
RS3GHE3/9AT | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 2665 |
RS3GHE3_A/H | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2760 |
RS3GHE3_A/H | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 2674 |
RS3GHE3_A/I | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores - Individual | 2544 |
RS3GHE3_A/I | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores - Individual | 2678 |
RS3GHM6G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Rectificadores - Individual | 2658 |
RS3GHR7G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Rectificadores - Individual | 0 |
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