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NSB8GTHE3/81 Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 8A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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NSB8GT-E3/81 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2707
NSB8GT-E3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division Rectificador de Diodo Monofásico
NSB8GTHE3/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2757
NSB8GTHE3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2773
NSB8GTHE3/81 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodos - Rectificadores - Individual 2787
NSB8GTHE3_A/I Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodos - Rectificadores - Individual 2779
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